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氧化铝陶瓷基片 氧化铝陶瓷基片
产品相关介绍
简要介绍
Al2O3陶瓷基片虽然热导率不高(20W/m.K),但因其生产工艺相对简单,成本较低,价格便宜,成为目前最广泛应用的陶瓷基片
详细参数
      
 氧化铝陶瓷基片 陶瓷基片,又称陶瓷基板,是以电子陶瓷为基的,对膜电路元件及外贴切元件形成一个支撑底座的片状材料。陶瓷基片具有耐高温、电绝缘性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学稳定性好、与元件的热膨胀系数相近等主要优点,但陶瓷基片较脆,制成的基片面积较小,成本高。 实际生产和开发应用的陶瓷基片材料有Al2O3、AlN、SiC、BeO、BN、氧化锆和玻璃陶瓷等。其中,BeO和SiC热导率很高(³250W/m.K),但BeO因具有毒性,应用范围小,故产量低;SiC因体积电阻较小(<1013W·cm)、介电常数较大(40)、介电损耗较高(50),不利于信号的传输,且成型工艺复杂、设备昂贵,故应用范围也很小;AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片,具有很高的热导率(理论值为319W/m.K,商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k)、较低的介电常数(8.8)和介电损耗(~4×104)、以及和硅相配比的热膨胀系数(4.4×10-4/℃)等优点,但由于成本居高,一直没能大规模应用;Al2O3陶瓷基片虽然热导率不高(20W/m.K),但因其生产工艺相对简单,成本较低,价格便宜,成为目前最广泛应用的陶瓷基片. 一般采用流延成型法制备氧化铝陶瓷基片,目前发展到使用非苯系、无毒、无公害溶剂体系,对环境无污染,且流延坯片的干燥速率易于控制,配料中使用的溶剂可回收循环利用。在流延生坯上可以冲制各种形状和孔,然后进行烧成,可在连续式空气气氛窑炉中同时完成排胶和烧成的生产方式。96%氧化铝陶瓷基片材料中添加了合适的矿物原料作为助熔剂,烧成温度低到1580℃~1600℃,产品密度即可达3.75g/cm3以上。对于尺寸精度要求较高的产品,可以在烧成后,以激光加工方法,在基片上划线、打孔,精度达到±0.05mm。 纯度:96%, 颜色:乳白色 尺寸:100x100x1.0mm以内,可以根据客户的要求切割 表面粗糙度:< 0.01um(抛光后); <1um(毛坯)
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