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二氧化硅(SiO2) 二氧化硅(SiO2)
产品相关介绍
简要介绍
SiO2单晶水晶片是一种极好的基片,用于无线通讯工业的微波滤波器。

详细参数

主要性能参数
生长方法 水热法
晶体结构 六方
晶格常数 a=4.914Å    c=5.405 Å
熔点(℃) 1610℃(相转变点:573.1℃)
密度 2.684g/cm3
硬度 7(mohs)
热熔 0.18cal/gm
热导率 0.0033cal/cm℃
热电常数 1200uv/℃(300℃)
折射率 1.544
热膨胀系数 α11:13.71×106/ ℃ α33:7.48×106 /℃
Q值 1.8×10min
声速、声表级 3160(m/sec)
频率常数 1661(kHz/mm)
压电偶合 K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
晶向 Y、X或Z切,在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值 
主定位边:根据客户要求定方向±30分 
次定位边:根据客户要求定方向 
籽 晶:位于中心,宽度<5mm,高度>66mm
抛光面 外延抛光:单抛或双抛Ra<10Å
工作区域:基片直径-3mm 
弯 曲 度:Φ3″<20um,Φ4″<30um
工作区域无崩边,在边缘,崩边宽度<0.5mm
坑和划痕:每片<3,每100片<20
标准厚度 0.5mm±0.05mm TTV<5um
标准直径 Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm 
主定位边:22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
次定位边:10mm±1.5mm
 
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